Nexperia PDTA113ZT
" (72330)Quality Information for Product Type PDTA113ZT
Reliability Results for Product Type PDTA113ZT
CERTIFICATE ISO/TS 16949:2009 Nexperia Philippines Inc. Nexperia Philippines Inc.
CERTIFICATE NexperiaB.V. ISO 14001:2015
CERTIFICATE ISO/TS 16949:2009 Nexperia UK Ltd.
CERTIFICATE NexperiaB.V. OHSAS 18001:2007
CERTIFICATE ISO/TS 16949:2009 Nexperia Germany GmbH
PDTA144TU中国RoHS
本资料为恩智浦(Nexperia)公司关于中国RoHS指令下PDTA144TU元器件的环保合规性声明。声明中详细列出了该元器件中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质的含量,均符合SJ/T11363-2006标准规定的限量要求。同时,恩智浦承诺其产品具有50年的环保友好使用期限。
PDTA144WU产品质量信息
Nexperia Semiconductors提供的PDTA144WU产品质量信息显示,该产品适用于汽车行业,采用SOT323封装。产品具备高ESD耐压(>500V),计算故障率为0.44 FIT,MTBF/MTTF为2.27E+09小时。信息基于AEC-Q101标准,并考虑了高温反向偏置测试。资料中未提及具体应用条件下的性能保证。
Nexperia Selection Guide 2021
Nexperia Selection Guide 2020
Nexperia Logic Translators
Nexperia B.V.和附录中提到的组织的新ISO 14001:2015和ISO 45001:2018证书
Nexperia B.V. 及相关组织获得新的 ISO 14001:2015 和 ISO 45001:2018 认证。由于新冠疫情影响,审计以远程方式进行,有效期限延长六个月。远程审计覆盖所有标准要素,Nexperia 已实施所有纠正措施,并计划在 2021 年 5 月/6 月进行现场监督审计,以确保证书更新。
Nexperia一瞥
Nexperia专注于高体积生产的离散和MOSFET组件以及模拟和逻辑IC,满足汽车行业严格的品质标准。公司以效率为核心,每年生产超过900亿个半导体产品,产品在工艺、尺寸、功率和性能方面具有行业领先的小型封装。Nexperia在全球拥有超过11,000名员工,业务遍及亚洲、欧洲和美国,提供全球支持。公司在小信号二极管和晶体管、ESD保护器件、PowerMOS汽车、逻辑器件等领域位居行业前列。
Nexperia packing indications Packing letter codes used in orderable part number
Nexperia Home 8550软件开发套件
Nexperia Home 8550软件开发套件(NH-8550 SDK)为开发基于Nexperia PNX8550家庭娱乐引擎的电视、机顶盒和家用媒体服务器产品提供了一套完整的参考平台。该套件包括基于PNX8550的参考硬件、系统软件、AV流媒体软件层、操作系统、演示和示例应用程序、测试流、诊断软件和软件工具。NH-8550 SDK支持全球模拟电视标准的基本功能,包括双路模拟电视信号调谐和解码、数字静态图像格式解码和多种MPEG音频标准解码。此外,SDK还支持多种数据服务捕获和多种可选功能。
Paralleling of Nexperia GaN FETs: How to overcome challenges in Paralleling GaNFETs and increase the power capability of a Power design
Nexperia NFC antenna protection diodes PESD18VF1Bx and PESD24VF1Bx
用于功率MOSFET的SPICE和VHDL-AMS中的Nexperia精密电热模型
本资料介绍了Nexperia公司提供的电热MOSFET模型,包括如何在LTspice™和PartQuest™ Explore中导入和使用这些模型。资料详细说明了模型的特性、使用方法、能力限制以及如何获取模型。此外,还提供了模型在模拟中的行为示例,包括阈值电压、RDSon、输出特性、二极管特性、体效应、漏电流、击穿电压、电容和栅极电荷等。资料还讨论了模型与数据表之间的比较、模拟技巧和模型的完整模拟有效性范围。
AN90016 Maximum continuous currents in NEXPERIA LFPAK power MOSFETs
AN90030半桥拓扑结构中Nexperia氮化镓FET的并联应用笔记
本文档为Nexperia公司发布的关于GaN FET在半桥拓扑中并联的应用笔记。内容主要涉及GaN FET在半桥配置中的电路设计和PCB布局建议,包括电流共享、门极驱动设计、散热考虑、布局优化等方面。通过实际测试和数据分析,展示了如何实现GaN FET的均衡电流共享,确保系统稳定性和可靠性。
Nexperia氮化镓FET在半桥拓扑结构中的并联应用笔记
本应用笔记详细介绍了在半桥拓扑中并联Nexperia TO-247 GaN FET时的电路设计和PCB布局建议。内容涵盖GaN FET在半桥配置中的并联设计,包括电流共享、门极驱动设计、DC总线抑制和去耦电容等关键要素。此外,还提供了电路图、PCB布局和物料清单,以帮助设计师实现高效、稳定的GaN FET并联应用。
TN90002 H-bridge motor controller design using Nexperia discretesemiconductors and logic ICs Technical note
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